OMRON dévoile de nouveaux relais MOSFET en carbure de silicium (SiC) pour les alimentations haute tension et les applications de test

Les nouveaux dispositifs G3VH de 1 800 et 3 300 V ouvrent la voie à une électrification plus efficace et plus légère

Hoofddorp, Pays-Bas, le 1 juillet 2026 – OMRON Electronic Components Europe a lancé ses nouveaux relais G3VH à MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrant des tensions nominales de 3 (…)

Cet article est paru en premier sur electronique-mag.com

Cet article est paru en premier sur le site https://www.electronique-mag.com/article24349.html