Si l’attention s’est longtemps concentrée sur les accélérateurs de calcul, la mémoire devient désormais l’un des principaux facteurs limitants des performances des centres de données. Un créneau qu’a choisi d’investir massivement Samsung avec son nouveau prototype V10 Bonding V-NAND, plus connu sous le nom de BV-NAND. Cette nouvelle génération de mémoire flash dépasse les 400 couches, contre un peu plus de 300 pour la génération précédente, grâce à une nouvelle technologie de wafer bonding, qui consiste à assembler plusieurs tranches de silicium afin d’augmenter la densité de stockage.
Cet article est paru en premier sur usine-digitale.fr
Cet article est paru en premier sur le site https://www.usine-digitale.fr/electronique/semi-conducteurs/pour-revenir-dans-la-course-face-a-sk-hynix-samsung-presente-une-nouvelle-memoire-bv-nand-ultra-dense-destinee-aux-futures-infrastructures-ia.3T62SHOQHRFDVJTJCQSA6Q2L7A.html