Ces nouveaux MOSFET sont dotés d’une structure sans plots internes et d’un couplage de source, ce qui leur permet d’atteindre un courant nominal allant jusqu’à 180 A et d’offrir des performances thermiques améliorées
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce le lancement de trois (…)
Cet article est paru en premier sur electronique-mag.com
Cet article est paru en premier sur le site https://www.electronique-mag.com/article24291.html